IXGA20N250HV IGBTのトランジスター モジュール2500V 30A 150Wの表面の台紙TO-263HV
型式番号:IXGA20N250HV
最低順序量:50pcs
供給の能力:1000000個
電圧 - コレクタ エミッタ内訳 (最大):2500ボルト
電流 - コレクター (Ic) (最大):30 A
現在-脈打つコレクター（Icm）:105 A
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Shenzhen China
住所：
Room 3001-2, Tower A, World Trade Plaza, No. 9 Fuhong Road, Futian District, Shenzhen
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内 23 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
IXGA20N250HV IGBT 2500 V 30 A 150 Wの表面の台紙TO-263HV
IXYS IXGA20N250HV高圧IGBT
IXYS IXGA20N250HV高圧IGBT （絶縁されたゲートの両極トランジスター）は正方形の逆バイアスの安全運転区域（RBSOA）および10µs短絡の抵抗の機能を提供する。IXGA20N250HVは+110°Cで2500Vコレクターにエミッターの電圧、12Aコレクター流れ、および3.1V collector-emitterの飽和電圧を特色にする。装置にVの肯定的な臨時雇用者係数がある平行になることにとって理想的なセリウム（坐る）。IXGA20N250HV IGBTは回路が前に倍数によって滝のように落とされた低電圧スイッチを使用したシステムの単一装置を可能にする。そのような装置強化は力装置の数を減らし、複雑なドライブおよび電圧バランスをとる部品の除去によって費用および効率を改善する。回路が前に高圧SCRsを利用したシステムでは、この高圧IGBTは本当スイッチを容易に信号調節機構を実行するためにデザイナーに与える。この能力は改善されたシステム安全のための負荷切断を波形づけ、可能にすることを簡単にする効率を改善する。従来の高圧EMRsおよび排出のリレーはまた取り替えることができシステムの複雑さを減らし、全面的な信頼性を改善する。
IXYS IXGA20N250HV高圧IGBTは業界標準TO-263HVのパッケージで提供され、+150°Cの接合部温度の範囲に-55°Cを特色にする。
特徴
- 業界標準TO-263HVのパッケージ
- 高圧パッケージ
- 電気で隔離されたタブ
- 最も高いピークの現在の機能
- 低い飽和電圧
- 形成のエポキシはUL 94のV-0燃焼性の分類に会う
適用
- Pulser回路
- コンデンサーの排出回路
- 高圧電源
- 高圧試験装置
- レーザーおよびX線発生装置
指定
- 2500V collector-emitter電圧（VCES）
- 2500Vコレクター ゲートの電圧（VCGR）
- ±20Vのゲート エミッターの電圧（VGES）
- ±30Vのゲート エミッターの電圧トランジェント（V宝石）
- 150Wコレクターの電力損失（PC）
- +25°C （Iの30Aコレクター流れC25）
- +110°C （Iの12Aコレクター流れC110）
- 3.10V collector-emitterの飽和電圧（Vセリウム（坐った））
- 0.83°C/W接続点場合の熱抵抗（RthJC）
- +150°Cの接合部温度の範囲（Tj）への-55°C
PINの指定及び設計図
パッケージの輪郭
IXGA20N250HV IGBTのトランジスター モジュール2500V 30A 150Wの表面の台紙TO-263HV
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