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11N80C3はMOS™力トランジスター デジタル集積回路を冷却します 特徴 •新しい革命的な高圧技術 •超低いゲート充満 •評価される周期的ななだれ •評価される極度なdv/dt •超低く有効なキャパシタンス •改善された相互コンダクタンス •PG-TO-22.........
Time : May,30,2024
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11N80C3涼しいMOS™力トランジスター デジタル集積回路 特徴 •新しい革命的な高圧技術 •超低いゲート充満 •周期的ななだれは評価した •極度なdv/dtは評価した •超低く有効なキャパシタンス •改善された相互コンダクタンス •PG-TO-220-3-.........
Time : Dec,01,2024
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