限られる優秀な総合システムは(限られるEIS) NTHD3100CT1Gの専門のストッキングのディストリビューター-オン・セミコンダクター-動力を与えますMOSFET 20 V、+3.9 A/−4.4 A、.........
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NTHD3100CT1Gの指定 部分の状態 活動的 FETのタイプ NおよびP-Channel FETの特徴 論理のレベルのゲート 流出させなさいに源の電圧(Vdss) 20V 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 2.9A、3.2A (最高) @ ID、VgsのRds 80 mOhm @ 2......
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