npn rfトランジスタ

NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin （分） （v） 3 Vin （最高の） （v） 17 Vout （分） （v） 1.8......

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

BC847B SOT-23 NPNの表面の台紙のトランジスター 表面の台紙SMDのトランジスターBC847B SOT-23 NPNタイプ トランジスター BC846-BC848 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 理想的には自動.........

製品の説明 TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 補足NPN - PNPのトランジスター両極分離した半導体製品 補足力トランジスター 記述: 装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生.........

限られる優秀な総合システムは（限られるEIS） PMST3904の専門のストッキングのディストリビューター- NXPの半導体- NPNのスイッチング・トランジスタです.........

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SOT-89 D882 プラスチック製のトランジスタ 特徴 電力消耗 最大限 格付け (T)a は=25°C さもなければ 注記) シンボル パラメータ 価値 ユニット VCBO コレクターベース電圧 40 V V代表取締役 コレクター・エミッター・ボルト 3.........

カスタマイズされた8W 4W 10Wデュアルバンド800MHz 900MHz信号ブースターパワーアンプモジュール このモジュールは、高い平均出力電力、優れた帯域内平坦性、および上側波帯と下側波帯間の小さなオフセットを備えています。モジュールの周波数帯域と出力電力.........

製品カテゴリ: 整流器 様式の取付け: 穴を通して パッケージ/場合: TO-220-3 Vr -逆電圧: 400ボルト -前方流れ: 6 A タイプ: 速......

2N1711 NPNトランジスタ 50V/600mA 100MHz 周波数 低飽和電圧 高β TO-39金属パッケージ 産業用温度範囲 信頼性の高いスイッチング 汎用増幅 andnbsp; 特徴 NPN極性: NPNバイポーラ接合トランジスタ（BJT）として、正の電流を使用してコレ.........

BCP56-16T1G TRANS NPN 80V 1A SOT223の両極（BJT）トランジスター電子部品 製品の説明 これらのNPNのケイ素のエピタキシアル トランジスターはオーディオ・アンプの塗布の使用のために設計されている。装置は中型力の表面の台紙の塗布のために設計されている.........

ON 半導体IC MMBT3904LT1G TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3 製造者: 一半 製品カテゴリー: 双極トランジスタ - BJT RoHS について 詳細 マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トラン.........

電子集積回路の破片NPNのトランジスターMOSのダイオードBSZ100N03MSGATMA1の原物 製品の説明 DC-DC VRD/VRM 運動制御 製品仕様書 部品番号:......

新しいおよび元SwithingトランジスターMMDT2222A （NPNの）/集積回路IC 特徴:補足PNPのタイプ利用できるMMDT2907A パッケージ:SOT-323 最高の評価（通知がなければTA=25 °c） 記号 変数 価値.........

LCR-T4 Mega328のトランジスター テスターのダイオードの抵抗器のコンデンサーのテスターESRのメートル 記述 1. 容易な読書のためのデジタル128*64 LCD表示は、測定されたデータおよびグラフィックを表示できます。 2. 短い探知時間:1.7秒だけ。バルク コンデ.........

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BF 999 E6327 RF MOSFETのトランジスター ケイ素のN-Channel MOSFETの三極管 1.Silicon N-Channel MOSFETの三極管 高周波段階のためできれば300までのMHz FMの適用で•Pbなしの（迎合的なRoHS） package1） .........

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