mosfet 下側スイッチ

製品説明： この IRFS3004TRL7PP MOSFET は、高電圧、低オン状態抵抗、低電圧 MOSFET です。これは、優れたスイッチング性能、低ゲート電荷、低オン状態抵抗を備えた高度なパワー MOSFET です。高速スイッチング、高電圧スイッチング、大電流スイッチングなどのさまざまな用途........

MJD122G補足のダーリントン力トランジスター切換え力mosfetの低い電力mosfet 一般目的のアンプおよび低速切換えの適用のために設計されている。 特徴 •プラスチック カバーの表面の台紙の塗布のために形作られる鉛•2N6040−2N6045シリーズ、TIP120−TIP12.........

技術的な詳細 測定原理 磁気 スイッチ機能 近づいて 切り替えの種類 PNP 切断点数 1 周りの温度 [°C] -20歳0 最大環境温度 [°C] 80.0 センサーのLEDディスプレイ そうだ 電圧の種類 DC 定数電圧 24.0 最低の稼働電.........

NとPチャネル ±40V MOSFET DCモーター制御のための高速スイッチング速度 一般説明 JY2504NPMは,優れたRDS ((ON) と低ゲート充電を提供できるNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタである.補完的なMOSFETは,Hブリッジで使用することが.........

HC25 Series High-Current Temperature Control Switch HC25シリーズ高電流温度制御スイッチ 高功率アプリケーションのための信頼性の高い熱保護 HC25シリーズの高電流温度制御スイッチは純粋な温度設計で設計されており,非常に.........

小さいPチャネルMosfet高い側面スイッチ/低い電力のトランジスター長い生命 概説 AOD413Aの使用高度の堀の技術低いゲートを優秀なR DSに（）与えるように設計して下さい充満。の優秀な熱抵抗を使ってDPAKのパッケージは、この装置最高のためにうってつけです現在の負荷塗布。.........

MJD122G補足のダーリントン力トランジスター転換力mosfetの低い電力mosfet 一般目的のアンプおよび低速転換の適用のために設計されている。 特徴 •プラスチック カバーの表面の台紙の塗布のために形作られる鉛•2N6040−2N6045シリーズ、TIP120−TIP122シ.........

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2SK1423 K1423 TO3Pの超高度速度の切換えの適用低いオン州の抵抗NチャネルMOSFET 在庫の他の電子部品のリスト SP6887ER4-L/TR SIPEX/EXA FSB660A フェアチャイルド NLV25T-470J-PF TDK DS1337S+T ダラス MMSZ5248B......

N3K C3548P XL 48ポート 10G SFP+ 低遅延スイッチ オリジナル 新品在庫 製品概要 シスコN3K-C3548P-XLは,Nexus 3000シリーズの高性能,超低遅延層2および層3スイッチである.金融市場,高周波取引 (HFT),レイテンシーに敏感なデータセンターア.........

JY4N8M Nチャネルの強化モード力MOSFET 概説JY4N8Mは高い細胞密度を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用し、低いゲート充満との‐の抵抗の減らす。これらの特徴はこの設計に力の切換えの適用および他のいろいろ適用の使用のための非常に有効な、信頼できる装置をするために.........

自動車用IGBTモジュール F3L11MR12W2M1HPB19 MOSFET低電力IGBTトランジスタモジュール [MJD利点 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!!.........

カスタマイズされた電圧入力 220V低周波切換電源トランスフォーマー 1製品説明 220V低周波スイッチング電源トランスフォーマーは,特に様々な電子機器に適した 220Vの電源入力を出力電圧に変換するために設計されています.低周波スイッチング電源システム交換回路を介して 220V AC電力を高周波パ......