InfineonからのこのIPD60R180P7SAUMA1 MOSFETのトランジスターはN-channel力MOSFETである 高性能の同期改正および高圧転換の適用の使用のために設計されている。このMOSFETに60Aの0.0015Ω、IDおよび8mJのなだれエネルギー評価のRD.........
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