igbtゲートドライバーの概念

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HCPL-0302論理の出力オプトカプラー8MBd 1Ch 0.5mA IGBTゲートの運転者オプトカプラー 記述 HCPL-2300/HCPL-0300オプトカプラーは統合された高利得光子の探知器とダイオードを出す820 nm AlGaAsの光子を結合する。Avagoのこの組合せは隔離され.........

IS200DAMBG1A GE IGBTゲートドライバーアンプパシーブインターフェースボード 商品の詳細: ブランド名 遺伝子組み換え モデル IS200DAMBG1A 条件 新しい 総重量/輸送重量 2.2ポンド / 35.2オンス / 1kg パッケージのサイズ.........

製品の説明 200W IGBTモジュールの運転者回路I2C TLA2022IRUGRテキサス・インスツルメントの新しい到着 IGBT力モジュール テキサス・インスツルメント/TI TLA2022IRUGR 決断.........

HCPL-0302 ロジック出力オプトコップラー 8MBd 1Ch 0.5mA IGBTゲートドライバー オプトコップラー 記述 HCPL-2300/HCPL-0300オプトカップラーは,820nmのAlGaAs光子発射ダイオードと統合された高加益光子検出器を組み合わせています.Avagoが設.........

1.Abstract SCALE™-2+の二重運転者の中心2SC0435T2G1-17 （2mmのPCBの厚さのために適した3.1mmのコネクタ ピンの長さ;高められたEMIの機能;無鉛）/2SC0435T2G1C-17 （Lackwerke PetersからのELPEGUARD SL 13.........

UCC27524DSDRのゲートの運転者の電子部品ICは破片を統合した 製品の説明部品番号UCC27524DSDRはテキサス・インスツルメントの会社によって製造され、賛成配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。 STM3.......

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ (⇒ JY213H ☆☆☆の詳細情報を得たい場合は,Pls 私たちに連絡してください) 記述 JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです..........

ゲートの運転者IC NCD57530DWKR2G 16-SOICはデュアル・チャネルIGBT 5000Vrms ICの破片を隔離した NCD57530DWKR2Gの製品の説明 NCD57530DWKR2Gは入力からの各出力へ5つのkVrmsの内部ガルバニック分離および2つの出力チャネル間の.........

JY213Lの3つの独立した出力チャネルが付いている力MOSFETおよびIGBT装置のための高速ゲートの運転者記述JY213Lは力MOSFETおよびIGBT装置のために合う高速3-phaseゲートの運転者である。この高度の運転者は3つの独立した出力チャネルを、特色にし高低の側面は参照し、最適制御を保......

3.3V 4A IGBT MOSFETのゲートの運転者IC NCV57001FDWR2Gの巻き枠の包装 NCV57001FDWR2G [隔離された高い流れおよび高いE]ゲート ドライブIC SOIC-16 製造業者: onsemi 製品カ.........

記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........

FAN73611MX ゲートドライバー 高速ゲートドライバー 製品属性 属性値 製造者: 一半 製品カテゴリー: ゲートドライバー RoHS について 詳細 製品: IGBT,MOSFETゲートドライバー タイプ: ハイサイド マウントスタイル: SMD/SMT.........

ICの集積回路UCC5350MCDR SOIC-8はゲートの運転者を隔離した 製品の説明: UCC53x0はMOSFETsを、IGBTs運転するように、設計されている単一チャネルの、隔離されたゲートの運転者SiCのMOSFETsおよびGaNのFETs （UCC5350SBD）の系列である。.........

つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路 製品の説明: 変圧器によってつながれるMOSFETおよびIGBTのゲートのために設計されているドライブ変圧器をドライブ回路ゲートで制御して下さい 特徴: 変圧器のために設計されてい......

UCC27524ADR IGBT MOSFETのドアのゲートの運転者AT91SAM9G10-CU CY8C24123A-24SXI PMIC力管理IC 1特徴 •業界標準Pin •2つの独立したゲート ドライブ チャネル •5-Aピークの源および流しドライブ流れ •各出力のための機能.........

IR2110半橋ゲートの運転者IC非逆になる14-DIPを示すIR2110PBF 運転された構成 半橋 チャネル タイプ 独立した 運転者の数 2 ゲートのタイプ IGBT、NチャネルMOSFET 電圧-供給 3.3V | 20V 論理の電圧- VIL、VIH 6V、9.5V 現在-ピーク出力（源、......

3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 （J）及び（PbF） 製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR） 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........

IRS2181STRPBF半橋ゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC記述IRS2181/IRS21814は独立した高側および低側の参照された出力チャネルが付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすために高耐久化された単一構造を......