igbtチップ

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PS21563-P力の運転者モジュールIGBT 3段階600V 10A 35-PowerDIPモジュール 特徴 •0.6µmの設計の第5世代別平面IGBT破片を用いて支配して下さい または優秀な損失の性能のCSTBT™の技術 •超密集したまたは単一ラインの移動型のパッケージは二倍になります.........

自動車はAFGY160T65SPD-B4単一IGBTのトランジスターTO-247-3視野絞りの堀IGBTを欠く AFGY160T65SPD-B4の製品の説明 AFGY160T65SPD-B4は650Vの160A単一IGBTのトランジスター、柔らかく速い回復ダイオードが付いている.........

IKW30N60H3フラッシュ・メモリICの破片のシルクスクリーンK30H603 IGBTのトランジスター IKW30N60H3 K30H603のシルク スクリーンの新しい輸入された三極管IGBTの高い発電の溶接の管IGBTのトランジスター600V 30A 187W.........

プロダクト リスト: 製品名:NLVVHC1GT125DF1Gの電子部品ICの破片 記述:NLVVHC1GT125DF1Gの電子部品ICの破片は低電圧、高い現在の絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）破片である。この破片はパワー エレクトロニクス、モーター.........

Infineon Technologies AG IKW40N120H3FKSA1 IGBT TRANS IGBTの破片N-CH 1200V 80A 483mWの自動車3 Pin （3+Tab） TO-247管 KZの部品はインフィニオン・テクノロジーズをIKW40N120H3の貯蔵.........

STGIPN3H60 IGBT モジュール チップ 集積回路 IC IGBT ブリッジ...

東芝のPhotocoupler GaAℓAs Ired及びPhoto−IC TLP251F エアコンのためのインバーター 誘導加熱 トランジスター インバーター 力MOSFETのゲート ドライブ IGBTのゲート ドライブ 東芝TLP251FはGaAℓAsの発光ダイオ.........

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICの破片半橋ゲートの運転者IC 14-DIP 記述 IR2110/IR2113は高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を.........

BENZ S KASS HYBRID INVERTER A0009064703 パーツのみのために メルセデス・ベンツ S400 W221 の IGBT 電子ボード 製品パラメータ 記述 仕様 条件 標準電圧 126V 普通 稼働電圧 126V 普通.........

SKIIP13AC126V1 3 -在庫の段階橋インバーターIGBTモジュールのSemikronの信頼性が高く新しい原物 特徴 速い堀IGBTs CALの技術の強く、柔らかく自由奔放なダイオード 電気関係のための信頼性が高いばねの接触 ULはファイルNO E63532を確.........

穴IGBTのトランジスター低損失のDuoPack 1200V 25Aを通したIKW25T120 ●およそ1.0VはVCEを（坐った）減らし、0.5VはBUP314Dと比較されたVFを減らした ●短絡はタイムの10sに抗する ●のために設計されている:-頻度コンバーター-途切れない.........

ADI ADSP-BF518BSWZ-4 オリジナル アナログ・デバイセズ メーカー型式 ADSP-BF518BSWZ-4 ベンダー エレメント14HK イギリスの倉庫 ベンダー モデル 40.........

IXYSのサイリスタのダイオード モジュールMDD44-16N1Bの高い発電IGBTモジュール 電子部品の分離した半導体モジュール段階の足 特徴/利点 陶磁器DCBが付いているパッケージ 改善された温度および力の循環 平面の不動態化された破片 非常に低く前方電圧低下 非常に.........

管IGBTの技術4.0mmの電極を搭載するDC Interver MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMALの溶接工ARC-400は溶接し続ける MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMALインバーター溶接工の特徴: IGBTの破片インバーター技術、高性能および省エネ。 電力網の.........

NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章： NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........

1KVA - 20KVA、90 - 150Vのマイクロプロセッサ破片制御IGBT産業力インバーター そ...

1.Output電圧:3.3V、5V、12Vおよび調節可能版を出力した•調節可能な版出力電圧範囲、37V+4%への1.23V•150Khz +15%は転換の頻度を固定した•電圧モード非同期的なPWM制御•熱操業停止および現在限界の保護•オン/オフ操業停止の操作量•作動の電圧は40V.........