TLP251Fの集積回路の破片力ICの破片GaAГAs Ired及びPhoto−IC

東芝のPhotocoupler GaAℓAs Ired及びPhoto−IC

TLP251F

エアコンのためのインバーター

誘導加熱

トランジスター インバーター

力MOSFETのゲート ドライブ

IGBTのゲート ドライブ

東芝TLP251FはGaAℓAsの発光ダイオードおよび統合されたフォトディテクターから成っています。

この単位は8−leadすくいのパッケージです。

TLP251FはIGBTまたは力MOS FETのゲートの運転回路のために適しています。特にTLP251は低い電力IGBTsの「直接」ゲート ドライブが可能です。（~15A）

•入力境界の流れ:= 5mA （最高。）

•供給の流れ:11mA （最高。）

•供給電圧:10~35V

•出力ピーク電流:±0.4A （最高。）

•切換えの時間:tpHL、tpLH = 1μs （最高。）

•分離の電圧:2500Vrms （最少）

•確認されるUL:UL1577のファイルいいえE67349

•承認される選択（D4）タイプVDE:

 DIN EN 60747-5-2、証明書第40011913

 最高作動の絶縁材の電圧:1140VPK

 最も高く許された終わる電圧:6000VPK

ENの60747-5-2承認されたタイプが必要である時（ノート1）は、示します「選択（D4を）」

•構造変数

 表面漏れ間隔:8.0mm （min.）

 整理:8.0mm （min.）

標準的な提供（熱い販売法）

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