高電圧PNPトランジスタ

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター2N5401トランジスター（PNP）を 特徴 高圧のŸの切換えそして拡大 電話のようなŸの適用 Ÿの低い流れ Ÿの高圧 発注情報 部品番号 パッケージ.........

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター2N5401トランジスター（PNP）を 特徴 高圧のŸの切換えそして拡大 電話のようなŸの適用 低のŸの流れ Ÿの高圧 発注情報 部品番号 パッケージ.........

製品説明: 高電圧MOSFETは超高電圧MOSFETで,高電圧MOSFETトランジスタの一種で,熱消耗と低電阻の点で優れた性能を提供します.新しい横変形ドーピング技術などの先進的な機能が装備されています特殊電源MOS構造と高温での優れた特性により,従来の高電圧MOSFETよりも優れたパフォーマン........

多目的低オン抵抗電圧 MOSFET トランジスタ 製品説明: MOSFET の低オン抵抗は,電源の損失を最小限に抑え,電源スイッチ回路の効率を向上させる.高速なスイッチ速度により,高いスイッチ周波数,照明用に使用するのに適しているMOSFETは,厳しい運用条件下で信頼性を確保するために100%の........

FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

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2SC4793 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述 ·TO-220Fのパッケージを使って ·2SA1837をタイプする補足物 ·高い転移の頻度 適用 ·電力増幅器の塗布 ·運転者段階のアンプの塗布 製品特質 属性値 土台様式: 穴を通して トランジスター極性: NPN ......

MMDT3946DWはトランジスター（NPN+PNP） SOT-363二倍になります MMDT3946DWは低い電力の拡大のためのNPNおよびPNPのトランジスターSOT 363二倍になります 特徴 補足の組 1 3904タイプNPN 1 3906タイプPNP エピタキシアル平面は構造死にます 低い......

NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI TPS62141RGTR Vin （分） （v） 3 Vin （最高の） （v） 17 Vout （分） （v） 1.8......

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 相補型NPN-PNPトランジスタバイポーラディスクリート半導体製品 相補型パワートランジスタ 説明： デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトの平面技術で製造されています。結果として得ら.........

製品の説明 TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 補足NPN - PNPのトランジスター両極分離した半導体製品 補足力トランジスター 記述: 装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生.........

プロダクト細部製品カテゴリ:両極トランジスター様式の取付け:穴を通してトランジスター極性:PNP構成:単一最高エミッターの電圧VCEO:- 140ボルト基礎電圧VCBO:- 140ボルトエミッターの基礎電圧VEBO:- 5ボルトCollector-Emitterの飽和電圧:2ボルト利益帯域幅プロダク......

TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴■の低いコレクター エミッターの飽和電圧■補足NPN - PNPのトランジスター 適用■の一般目的■のオーディオ・アンプ 記述装置はエピタキシアル基盤の平面の技術で製造され、線形音声、力および切換え.........

概説 PNPのスイッチング・トランジスタ この装置は100 mAにコレクター流れで非常に高速のために飽和させます切換えを設計されています。 トランジスター タイプ PNP 現在-コレクター（（最高） IC） 200mA 電圧-コ.........

多数の保護機能の高い信頼性PNPの近さスイッチ 記述 PNPの近さスイッチに安定した質が、耐久および友好的使用するべきあります。 細部 3ワイヤー PNP ノーマル・オープン DC 変数 遅れの間隔 検出の間隔の10%以下.........

高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2P.........

J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ 製造者: フェアチャイルド 製品カテゴリー: JFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-92 トランジス.........

統合回路IC オリジナルと新品,PZTA94 SOT-223 PNPトランジスタ CJ/Changdian オリジナル [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,RF統合回路.........