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high voltage bipolar transistor

1 - 20 の結果 high voltage bipolar transistor から 2465 製品

製品説明: 高圧MOSFETを紹介します MOS-Gateトランジスタは 超高圧アプリケーションのために特別に設計されています産業用切換電源この装置は,低電圧の電源システムおよび電源システムアプリケーションに適しています.低流出量は1μA未満に達し,低電源抵抗を持つN型です.このデバイスは,あら........

Time : Dec,26,2024
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多目的低オン抵抗電圧 MOSFET トランジスタ 製品説明: MOSFET の低オン抵抗は,電源の損失を最小限に抑え,電源スイッチ回路の効率を向上させる.高速なスイッチ速度により,高いスイッチ周波数,照明用に使用するのに適しているMOSFETは,厳しい運用条件下で信頼性を確保するために100%の........

Time : Mar,31,2025
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FDA50N50高圧Mosfet 48A 500V DMOS AC−DCの電源のトランジスター 記述 UniFET MOSFETはオン・セミコンダクターの平面の縞に基づく高圧MOSFET家族である DMOSの技術。このMOSFETはon−stateの抵抗を減らし、よりよく提供するために合う.........

Time : Nov,28,2024
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IRFZ44N -電子工学の熱狂者のための最終的な力MOSFETIRFZ44Nの賛否両論を発見し、あなたのプロジェクトに今日権限を与えなさい 高性能MOSFETのトランジスターを捜している電子工学の熱狂者であるか。IRFZ44Nよりそれ以上に見てはいけない。この強力な装置は電源および運動制御.........

Time : Nov,30,2024
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JAN2N2222A 双極トランジスタ - BJT 50 V 小信号 BJT 製造者: マイクロチップ 製品カテゴリー: 双極トランジスタ - BJT RoHS について N テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-18-.........

Time : Jul,15,2025
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SOT-23両極トランジスター トランジスター(NPN) 特徴 概要AFの適用のため 高いコレクター流れ 高い現在の利益 低いコレクター エミッターの飽和電圧 機械データ 場合:形成されたプラスチック エポキシ:UL 94V-O率の炎-抑制剤 鉛:保証されるM.........

Time : May,30,2024
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元の2SC4468 2北極のトランジスターTO-3-3 製品の説明: 1. TO-3P NPN 140V 10A 2. 2SC4468両極トランジスター 3. 穴を通した両極(BJT)トランジスターNPN 140v 10a 20 MHz 100Wに3p 4. TRANS GP BJT NP.........

Time : Nov,24,2024
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ROHM UTC ICS 2SC4505 T100Q 双極トランジスタ - BJT ROHS 2SB1424 PNP 低VCE (sat) トランジスタ 製品パラメータ 製造者: ROHM 半導体 製品カテゴリー: 双極トランジスタ - BJT RoHS について 詳細 マ.........

Time : Jun,22,2025
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航空部品2N2907Aの両極トランジスター コレクターのエミッターの電圧60 V 航空部品の記述: 2N2905Aおよび2N2907AはJedec TO-39 (2N2905Aのために)とJedec TO-18の(2N2907Aのために)金属の場合のケイ素平面のエピタキシアルPNPのトランジスター.......

Time : Apr,07,2025
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MMUN2233LT1Gバイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 246 mW 表面マウント SOT-23-3 (TO-236) カテゴリー 離散半導体製品 トランジスタ 双極性 (BJT) 単一のバイアスバイアスバイアストランジス.........

Time : Nov,26,2024
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ULN2003ADR ICの破片の高圧高現在のダーリントンのトランジスター配列 両極(BJT)トランジスター配列7 NPNダーリントン50V 500mA 16-SOIC 製造業者 テキサス・インスツルメント シリーズ -.........

Time : Nov,30,2024
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ベンチトップ・トレッドル・スイッチ 二極トランジスタ溶接機 リチウムイオン電池用 設備の導入 ● 自社開発した精密溶接頭を採用し,圧力調整制御が正確です. ● 二極出力は,溶接の極性効果をなくし,溶接棒の両側でのエネルギーを一貫させ,粘着した針現象を効果的に排除します. ● 二極溶接では,溶接.........

Time : Jun,22,2025
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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

Time : May,30,2024
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ZFeng IGBT モジュール IGBTモジュール (隔離ゲート双極トランジスタモジュール)複数のIGBTチップ,フリーホイリングダイオード (FWD) および関連する駆動/保護回路を統合した電源半導体装置モジュールである.電力電子の変換と制御システムに広く適用されています. 1主要な構成.........

Time : May,27,2025
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KUP40H12R4-7M 隔離ゲート双極トランジスタ組 電力管理のための究極のソリューション 製品説明: 隔離ゲート双極トランジスタモジュール (IGBTモジュールとして知られる) は,効率的な電源制御とスイッチング機能を提供する電子回路の重要な部品です.この汎用モジュールは,様々なアプリケー........

Time : Apr,04,2025
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BFT92 バイポーラ トランジスタ - BJT チップ ダイオード トランジスタ 集積回路 製品説明 部品番号 #BFT92によって製造されていますインフィニオンJalixin によって技術および配布されています。電子製品の大手販売代理店の 1 つとして、当社は.........

Time : Nov,26,2024
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プロダクト:General Electric DS200IIBDG1AEA DS200IIBDG1A GEはゲートの両極トランジスター板を絶縁した GEはゲートのDS200IIBDG1Aが板の処理の状態を提供する9表示器LEDsを含んでいる両極トランジスター(IGBT)板を絶縁した。LEDsはサー.......

Time : Apr,17,2025
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ZXTP19100CGTAのダイオードは両極トランジスターを織込んでいた 1.特徴BVCEO > -100VBVECO > -7VIC = -2AHighの連続的な流れ低い飽和VoltageVCE (坐った) < -130mV=""> 補足のNPNType:ZXTN19100CG無鉛終.........

Time : May,29,2024
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製品説明: 移動中のデバイスを充電するための 多用的で環境にやさしいソリューションです 高効率の単結晶電池ソーラーパネルでこの折りたたむ式キャンプ用ソーラーバッグは どこにいても 信頼できるエネルギー源を提供するために 太陽の力を利用します. 太陽光折りたたみバッグは 最大電源18Vの電圧を搭載........

Time : Jun,22,2025
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PBSS4350X115 シングル・バイポーラートランジスタICチップ 3A 電流収集器 Ic Max SOT89シリーズ 製品説明 ブランド: 原作 名前 集積回路 仕様: IC パッケージ: スタンダード 生産量:.........

Time : Dec,06,2024
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