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high side mosfet driver ic

1 - 20 の結果 high side mosfet driver ic から 113 製品

ドライバーIC統合回路 SY7201ABC シレルギー SOT 23ドライバICとしても知られるドライバチップは,他の電子部品を制御し,駆動する電子機器の基本的な部品です.幅広いデバイスの様々な電子部品の制御とアクティベーションを可能にするドライバチップドライバチップは,電源が切断された場合でも,.......

Time : Jun,22,2025
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TC4420CPAの低側のゲートMosfetの運転者IC非逆になる8-PDIP 概説 TC4420/TC4429は6A (ピーク)、単一出力MOSFETの運転者です。TC4429はTC4420は非逆になる運転者であるが、逆になる運転者(TC429とピン互換性がある)です。これらの運転者は低い電力そし......

Time : Nov,03,2023
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3相高電圧ゲートドライバーIC 3.3V,5V,15V入力ロジック 互換性 内蔵デッドタイム (⇒ JY213Hの詳細情報を得たい場合は,Pls私達に連絡してください!!!!) 記述 JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電.........

Time : Apr,21,2025
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JY21L 高低の側面の運転者 概説プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V.........

Time : Mar,18,2025
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TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICPMIC TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICTC4426EOA713 TC44.........

Time : Aug,29,2025
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TC4420 TC4429 6A高速MOSFETの運転者 特徴 保護された■の掛け金は............ >1.5Aの逆の出力電流に抗します ■の論理の入力は5Vまで否定的な振動に抗します ■ ESDによって保護される................................

Time : May,30,2024
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集積回路の破片A4989SLDTR-T二重完全な橋MOSFETの運転者IC TSSOP38 A4989SLDTR-Tの製品の説明 A4989SLDTR-Tは高い発電の産業両極2フェーズ ステッピング モーター(500 W)の広い範囲をへの普通30運転するために適した統合されたm.........

Time : Apr,21,2025
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電子ICチップ PSMN1R0-40YLDX MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56 製造者: ネクスペリア 製品カテゴリー: MOSFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SO.........

Time : Dec,09,2024
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高い発電の導かれた運転者LM285DR-2-5 SMT 2.5Vの電圧は集積回路を参照する > 適用 •携帯用メートルの参照 •携帯用テスト器械 •電池式システム •電流ループの器械使用 •パネル メーター > 特徴 •動作電流の範囲20のμAから20 mA •1.5%および3%の.........

Time : Nov,28,2024
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Infineon BSC220N20NSFDATMA1の電子部品ICは集積回路を欠く 製品の説明 部品番号# BSC220N20NSFDATMA1はインフィニオン・テクノロジーズによって製造され、Jalixinによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の........

Time : May,31,2024
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MIC5021YM-TRのマイクロチップ ゲートの運転者の高速高いサイドMOSFETの運転者SOIC-8 MIC5021YM MIC5021YN 製造業者:マイクロチップ製品タイプ:ドアの運転者プロダクト:MOSFETのゲートの運転者タイプ:高側設置様式:SMD/SMTパッケージ.........

Time : Dec,01,2024
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VN5160STR-E IC PWRの運転者のN-CHANNELの1:1 8SO STMicroelectronics プロダクト細部 STMicroelectronicsのVN5160STR-Eは強力なN-channelの外的なMOSFETsを運転するための高性能スマートな力.........

Time : Dec,09,2024
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一般説明この製品は,P-SUB P-EPI プロセスをベースにした高電圧,高速電力 MOSFET と IGBT ドライバです.浮動チャネルドライバは,最大150Vまで動作する独立して2つのNチャネル電源MOSFETまたはIGBTを運転するために使用できますロジック入力は標準CMOSまたはLSTTL出......

Time : Sep,20,2024
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15A 600V 238mΩ LEDドライバのための低抵抗高功率MOSFET NチャネルスーパージャンクションMOSFET 部品番号:LC65R280F パッケージ:TO-220F 主要な特徴 私はD15A VDSS: はい600V RDSON型 VGS=10V:238mΩ .........

Time : Mar,31,2025
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製品説明: 高圧MOSFETの導入 組み込みFRD HV MOSFET 低電圧抵抗と高圧/超高圧評価この超高電圧MOSFETは,高電圧または超高電圧の電力を必要とするアプリケーションに最適です低電圧抵抗により高効率と低電源損失がもたらされます.このタイプN MOSFETは,高電圧または超高電圧の........

Time : Dec,26,2024
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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

Time : May,30,2024
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HIP4082IPZ半橋ゲートの運転者IC非逆になる16-PDIPHIP4082は16鉛の中間周波数の、中型の電圧H橋N-Channel MOSFETの運転者IC、利用できるプラスチックSOIC (n)およびすくいのパッケージである。具体的にはPWMの運動制御およびUPSの塗布のために目標とされて、......

Time : Jan,07,2025
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TB67H450AFNG、EL両極モーター運転者力MOSFET 8-HSOP東芝TB67H45はモーター運転者にブラシをかけた 東芝TB67H45はモーターに運転者にであるパルス幅変調(PWM)チョッパー タイプDCがモーター運転者にブラシをかけたブラシをかけた。これらの装置はPWMの一定した.........

Time : Nov,25,2024
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MC34152PG デュアルMOSFETドライバー 1.5A ピーク電流 12V-18V 供給 50ns 上昇/低下 DIP-8 -40°C から +85°C 特徴 • 1.5A トーテムポール出力を持つ2つの独立したチャンネル ●出力 1000 pF の負荷で15 ns の上昇と落ち込み時間.........

Time : Aug,11,2025
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極限状態の小さいLCD表示の耐久性 小さいLCD表示の記述: 小さいLCD表示は高性能HX8347Dの運転者ICを利用する。この高度の運転者ICは一貫した良質の視覚資料を維持し、表示の高精細度の決断および活気に満ちた色の出力を支える。その細胞のギャップは3.85+-0.3のかなり視覚.........

Time : Mar,31,2025
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