SiCインゴットの成長炉の導入 4インチ,6インチと8インチの大きなサイズクリスタルを育てるためにPVT,Lely,TSSGとLPE方法を使用するSiCインゴット成長炉 SiC・インゴット成長装置は,4",6",8"の大きさの大きな結晶を育てることに焦点を当て,高速な成長率を達.........
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シリコンカービッド単結晶成長炉抵抗方法 6 8 12インチ SiCインゴット成長炉 ZMSH SiC シングルクリスタル成長炉:高品質のSiCウェーファーのために精密設計 ZMSHは自慢をもって SiC単結成長炉を紹介します 高性能SiCウェーファー製造のために設計された先進的なソリューションで........
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