Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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高圧IRF7606TRPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能および最高の効率のための低RDS ()

高圧IRF7606TRPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能および最高の効率のための低RDS ()
  • 高圧IRF7606TRPBF MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能および最高の効率のための低RDS ()
製品の詳細
プロダクト リスト: IRF7606TRPBFのN-Channel MOSFET変数: •下水管源の電圧:100V •連続的な下水管の流れ:16A •オン州の抵抗(Rds):0.02Ω •ゲート源の電圧:±20V •ゲート充満(Qg):22nC •電力損失(Pd):48W •実用温度範囲:-55...
製品詳細図 →