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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
集積回路ICの破片 (831)
MCUのマイクロ制御回路単位 (683)
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IPP023N10N5 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の低いオン抵抗、高い現在の機能
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プログラム可能なICの破片
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集積回路ICの破片
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IPP023N10N5 MOSFETのパワー エレクトロニクスの高性能の低いオン抵抗、高い現在の機能
製品の詳細
製品名:N-Channelの強化モードMOSFET プロダクト モデル:IPP023N10N5 変数: 下水管源の電圧:100V 連続的な下水管の流れ:23A 脈打った下水管の流れ:115A 最高の下水管の源のオン州の抵抗:0.0081Ω ゲート源の電圧:±20V 電力損失:7.5W 実用温度範囲:...
製品詳細図 →
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標準電源モスフェット
パワーダイオードデータシート
高電流IGBT
