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SI4702-C19-GMR RF力トランジスター
プロダクト概観:
SI4702-C19-GMRは産業および消費者適用のRFの電力増幅器の塗布のために設計されている高性能RF力トランジスターである。この装置は細胞基地局、中継器および消費者無線適用のような適用のために適している。それは30Vの高い絶縁破壊電圧、10.5Aの最高の下水管の流れ、および0.065Ωのオン州の抵抗と設計されている。
製品の機能:
•高い絶縁破壊電圧:30V
•最高の下水管の流れ:10.5A
•オン州の抵抗:0.065Ω
•低いゲート ドライブ電圧:3V
•低いゲート入力キャパシタンス:44.3pF
•高い発電の利益:18dB
•低い熱抵抗:0.66°C/W
•迎合的なRoHS
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