Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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プログラム可能な破片IC EP4CE75F29C8N FPGA 28Kの論理素子256MB DDR3 SDRAM

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プログラム可能な破片IC EP4CE75F29C8N FPGA 28Kの論理素子256MB DDR3 SDRAM

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型式番号 :EP4CE75F29C8N
原産地 :マルチオリジン
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :99999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
プロダクト状態 :活動的
実験室/CLBsの数 :4713
論理素子/細胞の数 :75408
総RAMビット :2810880
入力/出力の数 :426
電圧-供給 :1.15V | 1.25V
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EP4CE75F29C8Nプログラム可能なICの破片

 

製品の説明:

 

EP4CE75F29C8Nプログラム可能なICの破片は高性能、ローパワーの、低価格FPGAである。それは彼らの適用に選択の広い範囲をユーザーに与える高度の埋め込まれた建築および強い設計を特色にする。装置に400までのMHzの最高の動作周波数があり、8,000までの論理素子を支えることができる。それはまたオン破片の記憶、DSPのブロックおよび埋め込まれたプロセッサ サポートのような進んだ機能を特色にする。

 

指定:


•最高の動作周波数:400のMHz
•最高の論理素子:8,000
•オン破片の記憶:512 Kb
•DSPのブロック:4
•埋め込まれたプロセッサ:Nios II
•パッケージのタイプ:VQFN (72ピン)
•パワー消費量:<0.6W
•実用温度範囲:85°Cへの0

 

 

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