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AT45DB021E-SSHN-Tのフラッシュ・メモリICの破片の高性能の低い電力の消費
プロダクト リスト:
AT45DB021E-SSHN-Tのフラッシュ・メモリの破片
特徴:
•低電圧操作（2.7V-3.6V）
•記憶収蔵可能量の32Mbit
•3.6V供給電圧への2.7V
•4,096バイトの最低のページ サイズ
•単一の供給操作
•高い持久力（100,000までの消去は/周期を書く）
•8,192バイトの最低のブロック サイズ
•速いプログラミングの時間（典型的な10のµs）
•低い電力の消費
•延長温度較差（- 40Cへの+85C）
•1.8Vおよび3.3V入力/出力インターフェイス
•JEDEC標準的なPinout
•産業温度較差（- 40Cへの+85C）
•高速アクセスの時間（45ns）
•連続周辺機器インターフェイス（SPI）
•包装:8ピンPDIP
| プロダクト状態 | 活動的 | |
| プログラム可能 | 確認される | |
| 記憶タイプ | 不揮発性 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | フラッシュ | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 264バイトX 1024ページ | |
| 記憶インターフェイス | SPI | |
| クロック周波数 | 70のMHz | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 8µs、3ms | |
| 電圧-供給 | 1.65V | 3.6V | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TC） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 8-SOIC | |
| 基礎プロダクト数 |
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