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ICのダイオードのトランジスター

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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W9751G6NB25I注文ICは速いデータ記憶のための電圧3.6Vを欠く

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型式番号 :W9751G6NB25I

原産地 :元

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1 - 3日

包装の細部 :標準

MFR :Winbondの電子工学

記憶タイプ :揮発

記憶フォーマット :ドラム

技術 :SDRAM - DDR2

記憶容量 :512Mbit

記憶構成 :32M x 16

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製品の説明を表示

速いデータ記憶のためのW9751G6NB25Iの高性能のフラッシュ・メモリの破片

プロダクト:Winbond W9751 G6NB25私フラッシュ・メモリの破片
 
 
記述:
 
Winbond W9751G6NB25Iのフラッシュ・メモリの破片は高速、ローパワー、単一電圧フラッシュ・メモリ装置である。それは産業、自動車、および家電を含む広い応用範囲の使用のために、設計されている。破片は高速を書く速度、低い電力の消費および広い作動の電圧範囲を読むために特色にし。
 
 
特徴および変数:
 
•作動の電圧範囲:2.7V~3.6V
•プログラム/消去の性能:
- ページ プログラム:典型的な10μs
- ブロック/セクターの消去:典型的な2ms
•持久力:10,000のプログラム/消去周期
•データ保持:100年
•パッケージ:8 Pin TSOP-II （II）タイプ
•温度較差:-40 °C ~+85°C

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