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W9712 G6KB25私はフラッシュ・メモリ高性能の貯蔵の解決のための理想を欠く
記憶タイプ | 揮発 | |
記憶フォーマット | ||
技術 | SDRAM - DDR2 | |
記憶容量 | ||
記憶構成 | 8M x 16 | |
記憶インターフェイス | 平行 | |
クロック周波数 | 200のMHz | |
周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns | |
アクセス時間 | 400 ps | |
電圧-供給 | 1.7V | 1.9V | |
実用温度 | -40°C | 95°C (TC) | |
タイプの取付け | ||
パッケージ/場合 | ||
製造者装置パッケージ | 84-TFBGA (8x12.5) | |
基礎プロダクト数 |
製品の説明:
W9712G6KB25Iのフラッシュ・メモリの破片は高性能の適用のために設計されている。これらの破片は25MBの最高を記憶容量の選択の広い範囲に、与える。破片は低い電力の消費と設計され、ほとんどのオペレーティングのシステムおよびプラットホームと互換性がある。
W9712G6KBは2,097,152のワードの4銀行16ビットとして組織される128MビットDDR2 SDRAMである。この装置は高速移動率を一般的な適用のための800までMT/s (DDR2-800)達成する。W9712G6KBは次の速度の等級に分類される:-25、25Iそして-3。-25/25Iの等級の部品は-40°Cの≤ TCASEの≤ 95°C)を支えるために保証されるDDR2-800 (5-5-5)またはDDR2-800 (6-6-6)指定に迎合的である(25I産業等級の部品。
-3の等級の部品はDDR2- 667の(5-5-5)指定に迎合的である。制御および住所入力すべては組の外的に供給された差動時計と合わせられる。入力は差動時計(下るCLK上がるおよびCLK)の交差点で掛け金を降ろされる。すべてのI/Osは源の同期方法の単一の終えられたDQSか差動DQS- DQSの組と合わせられる
製品の機能:
- 25MBの最高の記憶容量
- 低い電力の消費
- ほとんどのオペレーティングのシステムおよびプラットホームと互換性がある
- 高性能の適用
- 既存のシステムへの容易な統合
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