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FM25C160B-Gのフラッシュ・メモリは欠く8-SOICパッケージのまさに速い連続周辺機器インターフェイス（SPI）を
| 記憶タイプ | 不揮発性 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | FRAM （Ferroelectric RAM） | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 2K X 8 | |
| 記憶インターフェイス | SPI | |
| クロック周波数 | 20のMHz | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - | |
| 電圧-供給 | 4.5V | 5.5V | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 8-SOIC |
特徴
■16-Kbit ferroelectric RAMメモリ（F-RAM）論理的に
8 2K ×として組織される
❐の高持久力100兆は（1014）読んだり/書く
❐ 151年データ保持（データ保持および持久力を見なさい
ページ12）
❐ NoDelay™は書く
❐の高度の高信頼性のferroelectricプロセス
■非常に速い連続周辺機器インターフェイス（SPI）
❐頻度20までのMHzの
❐は連続フラッシュおよびEEPROMのためのハードウェア取り替えを指示する
❐はSPIモード0 （0、0）およびモード3 （1、1）を支える
■複雑にされる保護機構を書きなさい
書込禁止（WP）ピンを使用して❐ハードウェア保護
❐ソフトウェア保護ディスエイブルの指示を書くのに使用する
1/4、1/2、または全体の配列のための❐ソフトウェア ブロックの保護
■低い電力の消費
❐ 250の1つのMHzの活動的な流れ
❐ 4のA （タイプ）のスタンバイの流れ
■電圧操作:VDD = 4.5ボルトから5.5ボルト
■産業温度:– 40Cから+85C
■8ピン小さい輪郭の集積回路（SOIC）のパッケージ
■迎合的な危険な物質（RoHS）の制限
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