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MT29F4G08ABBDAH4:Dのフラッシュ・メモリの破片
製品の説明:
MT29F4G08ABBDAH4:Dのフラッシュ・メモリの破片は高性能および設計柔軟性の独特な組合せを提供する。収蔵可能量の4Gbを使うと、これらの破片は利用できる最先端のフラッシュ・メモリの技術を提供する。破片は速度、低い電力の消費および広い実用温度範囲を読み、書くために速く特色になる。さらに、それらはそれら、家電埋め込まれたシステムの使用にとって理想的におよび産業適用をするいろいろオペレーティング システムと互換性がある。
製品の機能:
•収蔵可能量の4Gb
•速い読書および速度を書くため
•低い電力の消費
•-40°Cへの+85°Cの実用温度範囲
•いろいろオペレーティング システムと互換性がある
•埋め込まれたシステム、家電および産業適用のための理想
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プロダクト状態
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活動的
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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技術
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フラッシュ-否定論履積
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記憶容量
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記憶構成
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512M x 8
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記憶インターフェイス
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平行
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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-
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電圧-供給
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1.7V | 1.95V
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実用温度
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0°C | 70°C （TA）
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タイプの取付け
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パッケージ/場合
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製造者装置パッケージ
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63-VFBGA （9x11）
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基礎プロダクト数
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