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MT40A512M16TB-062E:Rのフラッシュ・メモリの破片
プロダクト概観:
MT40A512M16TB-062E:Rのフラッシュ・メモリはである高性能、ローパワー、および費用効果が大きい記憶解決欠ける。破片は200MHzの512Mbit （64MB）密度、16ビット データ幅および最高のクロック周波数を特色にする。ローパワー スタンバイの流れによって、メモリー チップは埋め込まれた適用にとって理想的である。
特徴:
•512Mbit （64MB）密度
•16ビット データ幅
•200MHzの最高のクロック周波数
•ローパワー スタンバイの流れ
•埋め込まれた適用のために適した
•迎合的なRoHS
| プロダクト状態 | 活動的 | |
| 記憶タイプ | 揮発 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | SDRAM - DDR4 | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 512M x 16 | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| クロック周波数 | 1.6 GHz | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 15ns | |
| アクセス時間 | 19 ns | |
| 電圧-供給 | 1.14V | 1.26V | |
| 実用温度 | 0°C | 95°C （TC） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 96-FBGA （7.5x13） | |
| 基礎プロダクト数 |
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