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3 年
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MT40A256M16LY-062E:Fのフラッシュ・メモリの破片
製品仕様書:
•容量:256Mb （16M x 16）
•パッケージ:球の格子配列（BGA）
•温度較差:標準（+70°C）への0°C
•インターフェイス:DDR2
•記憶構成:x16
•銀行ビットの数:4
•VDDの電圧:1.8V
•VDDQの電圧:1.8V
•新たにしなさい:8192 cycles/64ms
•クロック周波数:166MHz
•動作電流（Idd）:活動的な読書:4.2mA
•動作電流（Idd）:活動プログラム/消去:2.6mA
•流れ（Iddq）を書きなさい:0.8mA
•スタンバイの流れ:0.3mA
•パワー流れ:0.1mA
•持久力:10,000の周期（分）
•データ保持:10年（分）
•アクセス時間:5.0ns （最高）
•住所/データ・バス:16/8ビット
•データ マスク:8ビット
•読まれる/プログラム/消去単一:はい
| プロダクト状態 | 活動的 | |
| 記憶タイプ | 揮発 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | SDRAM - DDR4 | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 256M x 16 | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| クロック周波数 | 1.6 GHz | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | - | |
| アクセス時間 | 13.75 ns | |
| 電圧-供給 | 1.14V | 1.26V | |
| 実用温度 | 0°C | 95°C （TC） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 96-FBGA （7.5x13.5） | |
| 基礎プロダクト数 |
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