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3 年
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CY7C1071DV33-12BAXIのフラッシュ・メモリの破片
48-TFBGAパッケージの空電RAMの高性能CMOSの静的なRAM 32Mbit
| 記憶タイプ | 揮発 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | SRAM -非同期 | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 2M x 16 | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 12ns | |
| アクセス時間 | 12 ns | |
| 電圧-供給 | 3V | 3.6V | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 48-FBGA （8x9.5） |
特徴
■高速
❐のtAA = 12 ns
■低いアクティブな電源
❐ 83.3 MHzのICC = 250 mA
■低い相補型金属酸化膜半導体（CMOS）
予備発電
❐ ISB2 = 50 mA
■3.3 ±の作動の電圧0.3 V
■2.0 Vデータ保持
■選択解除された場合自動力
■TTLの多用性がある入出力
■Pbなしの48ボールFBGAのパッケージで利用できる
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