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CY7C1061G30-10ZSXIのフラッシュ・メモリの破片
エラー訂正コード（ECC）の54-TSOPパッケージの高速静的なRAM
| 記憶タイプ | 揮発 | |
| 記憶フォーマット | ||
| 技術 | SRAM -非同期 | |
| 記憶容量 | ||
| 記憶構成 | 1M x 16 | |
| 記憶インターフェイス | 平行 | |
| 周期にタイムの単語、ページを書きなさい | 10ns | |
| アクセス時間 | 10 ns | |
| 電圧-供給 | 2.2V | 3.6V | |
| 実用温度 | -40°C | 85°C （TA） | |
| タイプの取付け | ||
| パッケージ/場合 | ||
| 製造者装置パッケージ | 54-TSOP II |
特徴
■高速
❐のtAA = 10 ns/15 ns
■シングル・ビットのエラー修正のための埋め込まれたエラー訂正コード（ECC） [1、2つ]
■低く活動的な、スタンバイの流れ
mA典型的な❐ ICC = 90 100つのMHzで
❐ ISB2 = 20 mA典型的
■作動の電圧範囲:1.65 Vから2.2ボルト、2.2ボルトから3.6ボルト、
4.5 Vから5.5ボルト
■1.0 Vデータ保持
■トランジスター トランジスター論理（TTL）の多用性がある入出力
■1ビット誤り検出と訂正を示す間違いの徴候（誤りなさい）ピン
■Pbなしの48ピンTSOP I、54ピンTSOP II、および48ボールVFBGAのパッケージで利用できる
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