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W25Q16JWSSIQ 8の- SOICのフラッシュ・メモリの破片-高容量の速い読み書き速度の低い電力の消費
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記憶フォーマット
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技術
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フラッシュ-
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記憶容量
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記憶構成
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2M x 8
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記憶インターフェイス
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SPI -クォード入力/出力
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クロック周波数
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133のMHz
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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3ms
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電圧-供給
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1.65V | 1.95V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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パッケージ/場合
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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プロダクト リスト:
Winbond W25Q16JWSSIQ 8-SOICのフラッシュ・メモリの破片
特徴:
- 16Mbit （2M x 8bit）連続フラッシュ・メモリ
- 速い読み取りアクセスの時間:85MHz
- 標準的な連続周辺機器インターフェイス（SPI）
- 3Vおよび1.8V電圧サポート
- 8ピンSOICパッケージ
- 拡張セキュリティの特徴
- 低い電力の消費
- 終わりとのデータ保護の検出を書くため
- プログラム可能な保証ID
- 10,000のプログラム/消去周期
- 保持10年のデータ
- 持久力:1,000,000のプログラム/消去周期
- 単一の供給電圧（1.7Vへの3.6V）
- 多目的なプロダクト建築
- 3.3Vおよび2.5V入力/出力インターフェイス両立性
- JEDECの標準と完全に対応する
