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3 年
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W25Q128JVSIM 8の- SOICのフラッシュ・メモリの破片-埋め込まれた適用のための高速低い電力の持久記憶装置
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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技術
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フラッシュ-
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記憶容量
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記憶構成
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16M x 8
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記憶インターフェイス
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SPI -クォード入力/出力、QPI、DTR
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クロック周波数
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133のMHz
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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3ms
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電圧-供給
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2.7V | 3.6V
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実用温度
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-40°C | 85°C （TA）
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タイプの取付け
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パッケージ/場合
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製造者装置パッケージ
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8-SOIC
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プロダクト リスト:
Winbond W25Q128JVSIMのフラッシュ・メモリの破片、8-SOICパッケージ
変数:
•容量:128Mb （16M x 8）
•インターフェイス:連続周辺機器インターフェイス（SPI）
•クロック周波数:104MHzまで
•操作。電圧:2.7Vへの3.6V
•持久力:1,000,000周期を書きなさい
•データ保持:20年
•パッケージ:8-SOIC
