Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリは高速データ記憶および検索を欠く

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MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリは高速データ記憶および検索を欠く

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型式番号 :MT29F2G08ABAEAWP:E
原産地 :
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1 - 3日
包装の細部 :標準
Mfr :マイクロン・テクノロジ株式会社。
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :フラッシュ
技術 :フラッシュ-否定論履積(MLC)
記憶容量 :2ギガビット
記憶構成 :256G X 8
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MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリは高速データ記憶および検索を欠く

 

 

 

製品の説明:

 

MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリの破片

 

 

このMT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリの破片はデジタル装置でデータおよびプログラムを貯えるために使用される不揮発性メモリである。否定論履積の建築、高速データ・アクセスおよび高い信頼性を特色にするのはシングル レベルの細胞(SLC)装置である。この破片は産業および自動車適用にとって理想的である。

 

 

 

プロダクト変数:

 

•技術:否定論履積

•建築:シングル レベルの細胞(SLC)

•記憶容量:2GB

•作動の電圧:1.8V

•実用温度:-40°Cへの+85°C

•データ転送率を:120MB/s

•インターフェイス:8ビット/16ビット

•持久力:100Kプログラム/消去周期

 

 

 

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MT29F2G08ABAEAWP:Eのフラッシュ・メモリは高速データ記憶および検索を欠く

 

 

 

 

 

 

 

 

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