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CYPRESS S29GL01GS11TFIV 10の集積回路ICの破片-高性能信頼できる貯蔵の解決
プロダクト:S29GL01GS11TFIV10のCYPRESSの集積回路ICの破片
記述:S29GL01GS11TFIV10のCYPRESSの集積回路ICの破片は高性能、ローパワー、不揮発性の、および高密度CMOSのフラッシュ・メモリである。それは1.7V中心の電圧および3V入力/出力の電圧を特色にする。それに3.6Vに1.7Vの3.6V作動の電圧範囲に1.8Vが、書く電圧範囲をある。それは70nsの速くランダム・アクセスひととき、および90nsの読み取りアクセスのひとときを提供する。それはまたx8かx16バス・インターフェースおよび512Kまたは1Mのビット密度を特色にする。それは10msの消去のサイクル時間を支え、aは5msのサイクル時間を書く。さらに、それは0.5msのプログラム時間の4バイトまでの緩衝を書くことを持っている。この破片は埋め込まれた自動車適用にとって理想的である。
特徴:
•1.7V中心および3V入力/出力の電圧
•3.6V作動の電圧範囲への1.8V
•1.7Vへの3.6Vは電圧範囲を書く
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