Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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S29GL128P11FFI010 ICの破片の高性能コンピューティングのデータ記憶128Mbit

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S29GL128P11FFI010 ICの破片の高性能コンピューティングのデータ記憶128Mbit

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型式番号 :S29GL128P11FFI010
原産地 :
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1~3日
包装の細部 :標準
周期にタイムの単語、ページを書きなさい :110ns
記憶タイプ :不揮発性
記憶フォーマット :フラッシュ
技術 :フラッシュ-
記憶容量 :128Mbit
記憶構成 :16M x 8
PN :S29GL128P11FFI010
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S29GL128P11FFI010 ICの破片の高性能コンピューティングのデータ記憶128Mbit

 

 

 

記憶フォーマット
技術
フラッシュ-
記憶容量
記憶構成
16M x 8
記憶インターフェイス
平行
周期にタイムの単語、ページを書きなさい
110ns
アクセス時間
110 ns
電圧-供給
2.7V | 3.6V
実用温度
-40°C | 85°C (TA)
タイプの取付け
パッケージ/場合
製造者装置パッケージ
64-FBGA (13x11)
基礎プロダクト数

 

 

 

プロダクト リスト:

 


製品の説明:

 

 

S29GL128P11FFI010は128Mb (16Mx8) CMOS 3.0のボルトだけブート ブロックのフラッシュ・メモリである。

 

Cypress S29GL128P11FFI010、S29GL01G/512/256/128Pは抜け目がないプロダクトが90 nmの加工技術で製造したMirrorbit®である。これらの装置は90 ns対応するランダム・アクセス時間との25 nsの速いページのアクセス時間を速く提供する。それらは標準的なプログラミングのアルゴリズムより速く有効なプログラミングの時間に終って書く最大32のwords/64バイトが1つの操作でプログラムされるようにする緩衝を特色にする。これはこれらの装置を高密度、よりよい性能および低い電力の消費を要求する今日の埋め込まれた適用にとって理想的にさせる。

 


変数:

 

•VCC供給電圧:2.7Vへの3.6V
•読み取りアクセスの時間:55 ns
•プログラム時間:1.5氏(典型的な)
•持久力:100K周期
•データ保持:20年
•実用温度範囲:-40°Cへの+85°C

 

 

私達からの買物>>>の速く/安全に/便利になぜ

 

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S29GL128P11FFI010 ICの破片の高性能コンピューティングのデータ記憶128Mbit

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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