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Cypress S29のAL008J70BFI 023 8Mb CMOSのフラッシュ・メモリの集積回路ICの破片
プロダクト リスト:
CYPRESS S29AL008J70BFI023 8Mb （1Mb X 8） CMOS 3.0Vのブート・セクタ フラッシュ・メモリ
製品の機能:
- 8メガビット（フラッシュ・メモリの1メガビットX 8）。
- 5V耐久性がある入力との3.0V供給電圧。
- セクターごとの64Kbytesのセクターの建築。
- 45µsの典型的なプログラミングの時間とプログラムするバイトか単語。
- 埋め込まれた消去およびプログラム アルゴリズム。
- 埋め込まれた4バイトのアドレス・モード。
- ソフトウェア データ保護およびプログラム可能なブロックの錠のような高められたセキュリティ機能。
- 埋め込まれたECC （エラー・コードの訂正）のアルゴリズム。
- 多数入力/出力バス幅:x8、x16。
- 45ns速いアクセス時間。
- 8Kbyteブート ブロックおよび16Kbyte変数ブロックとのブート・セクタ（BS）建築。
- 10,000のプログラム/消去周期。
- 持久力:保持10年のデータ。
- 実用温度範囲:-40°Cへの+85°C。
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