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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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シティ：shenzhen

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BSC070N10NS5 MOSFET パワーエレクトロニクス低ゲート電荷 N チャネル MOSFET

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型式番号 :BSC070N10NS5

原産地 :原物

最低順序量 :1

支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram

供給の能力 :999999

受渡し時間 :1-3幾日

包装の細部 :標準

下水管源の電圧（Vdss） :700V

ゲート源の電圧（Vgs :± 20 V

流出させなさい流れ（ID）を :70A

下水管源のオン抵抗（Rds） :0.025オーム

下水管源のオン抵抗（RDS （）） :7mΩ

最高の接合部温度（Tj） :175°C

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BSC070N10NS5MOSFET力電子デバイス高いパフォーマンスとレルできる力スイッチしている解決

NチャンネルMOSFET、BSC070N10NS5

製品説明：

BSC070N10NS5 は、ドレイン-ソース間のオン抵抗が低い高速、高電圧 N チャネル MOSFET です。低ゲート電荷、低出力容量、高速スイッチング時間、および低ゲート・ドレイン間電荷が特徴です。この MOSFET は、ハイサイドスイッチング、電源、DC-DC コンバータ、およびその他の高周波アプリケーションでの使用に最適です。

特徴：

- NチャンネルMOSFET
- 高速スイッチング
- ドレイン・ソース間オン抵抗が低い
- 低いゲート電荷
- 低い出力容量
- 高速スイッチング時間
- ゲート・ドレイン間電荷が低い

仕様:

- 部品番号: BSC070N10NS5
- 構成: N チャンネル
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 700 V
- ゲート・ソース間電圧 (Vgs): ± 20 V
- ドレイン電流 (Id): 70 A
- ドレイン・ソース間オン抵抗 (Rds): 0.025 オーム
- 最大消費電力

当社から購入する理由 >>> 迅速 / 安全 / 便利

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