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3 年
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IRF840STRLPBF MOSFET パワーエレクトロニクス Nチャンネル 500 V D²PAK TO-263
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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850ミリオーム @ 4.8A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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63nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1300 pF @ 25 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.1W(Ta)、125W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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D²PAK (TO-263)
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パッケージ・ケース
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製品説明：
IRF840STRLPBF MOSFET は、高速スイッチングと低いオン状態抵抗を特徴とする N チャネル MOSFET です。この MOSFET は、高電圧および高速スイッチング アプリケーションで使用するために設計されています。
製品パラメータ:
• ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 500V
• ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
• 連続ドレイン電流 (ID): 8A
• オン抵抗 (RDS(on)): 0.065Ω
• 消費電力 (PD): 0.85W
• 極性: Nチャンネル
• 動作温度範囲: -55°C ～ 175°C
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