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3 年
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FDD6685 MOSFET パワー エレクトロニクス
特徴：
・低オン抵抗 RDS(on)
• 低いゲート電荷 Qg
• 高速スイッチング
• 鉛フリー、RoHS 準拠
• AEC-Q101 準拠
アプリケーション:
• 自動車用バッテリー管理システム
・DC/DCコンバータ
・ロードスイッチ
• パワーインバータ
• モーター制御
パラメーター：
• ドレイン・ソース間耐圧: 200V
• 最大ドレイン電流: 33A
• RDS(オン): 0.042Ω
• ゲートしきい値電圧: 1.2V
• 最大消費電力: 36W
• 動作温度範囲: -55°C ～ 175°C
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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20ミリオーム @ 11A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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24nC @ 5V
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Vgs (最大)
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±25V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1715 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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52W(タ)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-252AA
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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