Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET チューブ FDV301N 高性能低電圧 MOSFET トランジスタ

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MOSFET チューブ FDV301N 高性能低電圧 MOSFET トランジスタ

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型式番号 :FDV301N
原産地 :複数の起源
最低順序量 :1
支払の言葉 :L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力 :999999
受渡し時間 :1-7days
包装の細部 :標準
製品タイプ :MOSFETのパワー エレクトロニクス
製造業者 :onsemi
製造業者プロダクト数 :FDV301N
記述 :MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
製造業者の標準的な調達期間 :1-7days
詳細な説明 :N-Channel 25 V 220mA (Ta)の350mW (Ta)表面の台紙SOT-23-3
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FDV301N N チャネル MOSFET パワー エレクトロニクス

FDV301N は、高電力スイッチング アプリケーション向けに設計された N チャネル パワー MOSFET です。DC-DCコンバータ、AC-DCコンバータ、モータ制御回路などの高効率電力変換回路での使用に適しています。このデバイスの定格は 60 V および 18 A で、低いオン抵抗、低いゲート電荷、および高速スイッチング速度のための低い静電容量が特徴です。

特徴:


• NチャンネルMOSFET
• 定格60Vおよび18A
・低いオン抵抗
• ゲート電荷が低い
• 低静電容量
• 高速スイッチング速度

アプリケーション:


・DC-DCコンバータ
• AC-DCコンバータ
・モーター制御回路
• 高効率の電力変換

パッケージ: TO-220

製品の状態
アクティブ
FETタイプ
テクノロジー
MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.7V、4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4オーム @ 400mA、4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.06V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Vgs (最大)
±8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
9.5 pF @ 10 V
FETの特徴
-
消費電力(最大)
350mW(Ta)
動作温度
-55℃~150℃(TJ)
取付タイプ
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ・ケース
基本製品番号

当社から購入する理由 >>>早い・安全・便利


• SKL は電子部品の株式管理者および貿易会社です。当社の支社には中国、香港、シンガポール、カナダが含まれます。グローバルメンバー向けにビジネス、サービス、リソース、情報を提供します。
• 商品は可能な限り最高の品質が保証され、世界中のお客様に迅速かつ正確にお届けします。

購入方法>>>


• 電子メールでお問い合わせいただき、輸送先をお知らせください。
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サービス >>>


• 世界中へのフォワーダー発送、DHL、TNT、UPS、FEDEXなどの購入者は発送の問題を心配する必要はありません
• できるだけ早く対応させていただきます。ただし、タイムゾーンの違いにより、メールが返信されるまでに最大 24 時間かかる場合があります。製品はいくつかのデバイスまたはソフトウェアでテストされており、品質に問題がないことを確認しています。
• 当社は世界中のバイヤーに迅速、便利、安全な輸送サービスを提供することに尽力しています。

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