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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
集積回路ICの破片 (831)
MCUのマイクロ制御回路単位 (683)
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フラッシュ・メモリの破片 (655)
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抵抗TO-263ABのSVD5865NLT4G Mosfetの管の高い発電の低速
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プログラム可能なICの破片
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集積回路ICの破片
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MCUのマイクロ制御回路単位
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電子部品ICの破片
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フラッシュ・メモリの破片
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抵抗TO-263ABのSVD5865NLT4G Mosfetの管の高い発電の低速
製品の詳細
このリストはSVD5865NLT4G MOSFETのパワー エレクトロニクスのためである。 特徴および指定: - MOSFETのタイプ:N-Channel - 源の電圧（Vds）を流出させなさい:60V - 下水管源のオン抵抗（Rds）:0.0065オーム - 連続的な下水管の流れ（ID）:58A ...
製品詳細図 →
商品のタグ：
コブ5w 450lm グ10
2sa1535 pnp パワートランジスタ
23日 モスフェット
