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FDD86102 MOSFET パワー エレクトロニクス
FDD86102 は、高効率の電力変換を提供するように設計された MOSFET パワー エレクトロニクス デバイスです。低いオン抵抗と低いゲート電荷を備え、優れた電力供給を実現します。このデバイスは薄型の熱強化パッケージで構成されており、さまざまなアプリケーションでの使用に適しています。
特徴：
• 低いオン抵抗 - RDS(on) : 2.2 mOhm (最大)
• 低ゲート電荷 - Qg : 11.5 nC (最大)
• 薄型、熱強化パッケージ
• ハロゲンフリーおよびRoHS準拠
・高効率電力変換に最適
• 高電圧動作 - VDS : 100 V (最大)
• 大電流動作 - ID : 30 A (最大)
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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6V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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24ミリオーム @ 8A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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4V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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19nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1035 pF @ 50 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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3.1W(Ta)、62W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-252AA
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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