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3 年
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NTMT090N65S3HF MOSFETのパワー エレクトロニクス
製品の機能:
•900V N-Channel MOSFET
•30A RDS （）
•低いゲート充満
•ミラー低いキャパシタンス
•高速切換え
•低いQgおよびQgd
•テストされる100% UIS
•迎合的なRoHS
指定:
•構成:N-Channel
•下水管源の電圧（VDS）:900V
•連続的な下水管の流れ（ID）:30A
•下水管源のオン抵抗（RDS （））:0.0058オーム
•ゲート源の電圧（VGS）:±20V
•ゲート充満（Qg）:48nC
•入れられたキャパシタンス（Ciss）:3.2nF
•電力損失（PD）:109W
•実用温度:-55°Cへの150°C
•トランジスター箱様式:TO-220AB
•ピンのNO:3
•タイプの取付け:穴を通して
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プロダクト状態
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ない新しい設計のために
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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90mOhm @ 18A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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5V @ 860µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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66 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±30V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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2930 pF @ 400ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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272W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 150°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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4-PQFN （8x8）
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パッケージ/場合
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