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製品リスト:
IRLHM620TRPBF MOSFET パワーエレクトロニクス
製品パラメータ:
- ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 600V
- ゲート・ソース間電圧 (Vgs): ±20V
- 連続ドレイン電流 (Id): 6A
- ドレイン・ソース間オン状態抵抗 (Rds): 0.093 オーム
- 消費電力 (Pd): 32W
- 最大ジャンクション温度 (Tj): 175°C
- 動作温度: -55°C ～ 175°C
- 包装: TO-220AB
- 取り付けタイプ: スルーホール
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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2.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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2.5ミリオーム @ 20A、4.5V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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1.1V @ 50μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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78nC @ 4.5V
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Vgs (最大)
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±12V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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3620 pF @ 10 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.7W(Ta)、37W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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PQFN (3x3)
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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