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3 年
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IRFB7730PBF MOSFET パワー エレクトロニクス:
特徴：
-100V NチャンネルMOSFET
-標準 RDS(on) = 0.052 オーム
-低いゲート電荷(Qg)
-低クロス
-AEC-Q101認定済み
アプリケーション:
-パワースイッチング
-バッテリー保護
-DC-DCコンバーター
-大電流負荷スイッチング
-ハイサイド負荷スイッチング
-汎用スイッチング
パラメーター：
-ドレイン・ソース間電圧: 100V
-連続ドレイン電流: 56A
-消費電力: 0.8W
-ゲート・ソース間電圧: ±20V
-RDS(オン): 0.052オーム
-Qg 総ゲート電荷: 28nC
-トランスコンダクタンス: 16.2 S
-入力容量: 590pF
パッケージ/ケース：TO-220AB
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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6V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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2.6ミリオーム @ 100A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3.7V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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407 nC @ 10 V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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13660 pF @ 25 V
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FETの特徴
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消費電力(最大)
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375W(Tc)
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動作温度
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-55℃～175℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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TO-220AB
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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