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3 年
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IPD60R2K1CEAUMA1 MOSFET パワー エレクトロニクス
製品説明：
IPD60R2K1CEAUMA1 は、パワー スイッチング アプリケーション向けに最適化された N チャネル パワー MOSFET です。このデバイスは、優れた RDS(ON) と低いゲート電荷を実現する高度なトレンチ MOSFET テクノロジーを使用して設計されています。高速スイッチング時間と低レベルのゲート電荷により、優れたスイッチング性能を実現します。幅広い VDSS を備えたこのデバイスは、さまざまな電力アプリケーションに適しています。
特徴：
• NチャンネルパワーMOSFET
• 高度なトレンチ MOSFET テクノロジー
• 電力スイッチング用途向けに最適化
• 低 RDS(ON)
• ゲート電荷が低い
• 高速スイッチング時間
• 低レベルのゲート電荷
• 幅広い VDSS
• さまざまな電力用途に最適
仕様:
• ドレイン・ソース間電圧 (VDSS): 60V
• ドレイン電流 (ID): 2A
・RDS(ON)：1.45mΩ
• ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
• 最大消費電力 (PD): 2.2W
• 動作温度: -55°C ～ +150°C
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製品の状態
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アクティブ
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FETタイプ
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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2.1オーム @ 760mA、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3.5V @ 60μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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6.7nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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140 pF @ 100 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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38W(Tc)
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動作温度
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-40℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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PG-TO252-3
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パッケージ・ケース
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基本製品番号
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