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3 年
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IRFB4229PBF力MOSFET
製品の機能:
•N-Channelの強化モード
•100V、37A、RDS （） = 0.065Ω
•低いゲート充満（タイプ。11nC）
•低いCrss （タイプ。0.13A）
•速い切換え
•迎合的なRoHS
•無鉛
•ハロゲンなし
製品の説明:
IRFB4229PBFは力の転換の適用のために設計されているN-Channel MOSFETである。それは0.065Ωのオン抵抗、37Aの現在の評価、および100Vの作動の電圧を特色にする。装置は0.13Aの11nCそして低いCrssの低いゲート充満を備えている。それは迎合的な、無鉛/ハロゲンなしのRoHSである。
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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46mOhm @ 26A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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5V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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110 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±30V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4560 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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330W （Tc）
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実用温度
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-40°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/場合
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基礎プロダクト数
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