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IRFB3004PBF MOSFETのパワー エレクトロニクス
製品の説明:
IRFB3004PBFは高周波スイッチ モード電源、一般目的の切換えおよびアンプの塗布の使用のために設計されているN-channel MOSFETのパワー エレクトロニクスである。このMOSFETに100Vの下水管源の電圧評価、30Aの下水管の流れ、および4.5Wの最高の電力損失がある。
特徴:
•N-Channel MOSFET
•100V下水管源の電圧評価
•30A下水管の流れ
•4.5W最高の電力損失
•低いオン抵抗
•高速切換え
•迎合的なRoHS
適用:
•高周波スイッチ モード電源
•一般目的の切換え
•アンプの塗布
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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1.75mOhm @ 195A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 250µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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240 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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9200 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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380W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/場合
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基礎プロダクト数
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