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IRFB7740PBF MOSFETのパワー エレクトロニクスは低いオン抵抗を、高い切り替え速度特色にする高性能、費用効果が大きい装置および高周波性能である。この装置は有効な、信頼できる、強力な切換えを要求する適用にとって理想的である。
製品仕様書:
•最高の下水管源の電圧:100V
•最高のゲート源の電圧:20V
•連続的な下水管の流れ:30A
•ピーク脈拍の流れ:190A
•最高の下水管源のオン抵抗:0.036Ω
•実用温度範囲:-55°Cへの150°C
•パッケージ:TO-220AB
•迎合的なRoHS
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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6V、10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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7.3mOhm @ 52A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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3.7V @ 100µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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122 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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4650 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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143W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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TO-220AB
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パッケージ/場合
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基礎プロダクト数
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