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NVF2955T1G MOSFETのパワー エレクトロニクス
SOT-223パッケージの単一のP-Channel 60V 2.6A PWMの運動制御
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FETのタイプ
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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170mOhm @ 750mA、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 1mA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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14.3のNC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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492 pF @ 25ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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1W （Ta）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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製造者装置パッケージ
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SOT-223 （TO-261）
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パッケージ/場合
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特徴
•低いRDSのための設計（）
•なだれおよび代わりモードの高エネルギーに抗する
•AEC−Q101は− NVF2955を修飾した
•これらの装置はPb−Free、RoHSの迎合的な適用である
•電源
•PWMの運動制御
•コンバーター
•力管理
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