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NTMFS4C027NT1G Nチャンネル 30V 0.2A（TDS） MOSFET パワーエレクトロニクス 5-DFNパッケージ シングル Nチャンネル 30V 52A
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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4.8ミリオーム @ 18A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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2.1V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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18.2nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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1670 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.51W(Ta)、25.5W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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パッケージ・ケース
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製品リスト:
製品名: NTMFS4C027NT1G MOSFET パワーエレクトロニクス
メーカー: オン・セミコンダクター
パッケージ: 5-DFN
VDS(V):30
ID (A): 0.027
RDS(オン) (Ω): 0.08
チャンネル数: 1
VGS(V):20
電力 (W): 0.3
Pd(W):0.45
入力容量 (Ciss) (pF): 860
構成: シングル
ドレイン・ソース間耐圧 (Vdss): 30V
