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3 年
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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16ミリオーム @ 9A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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12nC@10V
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Vgs (最大)
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±20V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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720 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.4W(Ta)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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6-MicroFET (2x2)
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パッケージ・ケース
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製品リスト:
オン・セミコンダクター FDMA8878 MOSFET パワー エレクトロニクス
主な特徴:
- 0.05オームの低RDS(on)
- 低いゲート電荷
- Qgの向上と安全な操作領域
- 高いピーク電流能力
- 低いゲート電荷
- 高速スイッチング
- RoHS対応
- AEC-Q101 認定済み
アプリケーション:
- DC/DCコンバータ
- DC/AC インバーター
- バッテリー充電器
- サーバー/ノートブック電源
- 自動車用途
技術仕様:
- ドレイン・ソース間電圧 (VDS): 600V
- ゲート・ソース間電圧 (VGS): ±20V
- ドレイン電流 (ID): 58A
- RDS(オン): 0.05 オーム
- 最大消費電力 (PD): 115W
- 動作温度範囲: -55°C ～ 150°C
