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3 年
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テクノロジー
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MOSFET (金属酸化物)
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ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
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電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
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駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
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4.5V、10V
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Rds オン (最大) @ Id、Vgs
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10ミリオーム @ 11.5A、10V
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Vgs(th) (最大) @ ID
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3V @ 250μA
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ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
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91nC @ 10V
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Vgs (最大)
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±25V
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入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
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3970 pF @ 15 V
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FETの特徴
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-
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消費電力(最大)
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2.3W(Ta)、41W(Tc)
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動作温度
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-55℃～150℃(TJ)
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取付タイプ
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-MLP (3.3x3.3)
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パッケージ・ケース
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製品リスト:
製品名: ON Semiconductor FDMC6679AZ NチャネルパワーMOSFET
製品説明: ON Semiconductor FDMC6679AZ N チャネル パワー MOSFET は、幅広いアプリケーションで優れた性能、信頼性、低消費電力を提供するように設計された完全空乏型、低電圧、高速デバイスです。
製品の特徴：
• Nチャンネル
• 低電圧動作
・高速スイッチング
• 低消費電力
• 高い電流容量
• 高いスイッチング周波数
• ゲート電荷が低い
• 高温動作
• 低いオン抵抗
• RoHS対応
製品仕様：
• 定格電圧: 20V
• 連続ドレイン電流: 27A
• 最大ドレイン・ソース電圧: -30V
• ドレイン・ソースオン抵抗: 0.0045Ω
• ゲートしきい値電圧: 2.5V
• 最大動作温度: 175°C
• 取り付けタイプ: 表面実装
• パッケージ/ケース: TO-252
