最新の価格を尋ねる
確認済みサプライヤー
3 年
Add to Cart
Nチャンネルパワートレンチ
|
FETタイプ
|
|
|
|
テクノロジー
|
MOSFET (金属酸化物)
|
|
|
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
|
|
|
|
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
|
|
|
|
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
|
10V
|
|
|
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
|
9.5ミリオーム @ 10A、10V
|
|
|
Vgs(th) (最大) @ ID
|
4V @ 70μA
|
|
|
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
|
19nC@10V
|
|
|
Vgs (最大)
|
±20V
|
|
|
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
|
1140 pF @ 40 V
|
|
|
FETの特徴
|
-
|
|
|
消費電力(最大)
|
3.2W(Ta)、107W(Tc)
|
|
|
動作温度
|
-55℃～175℃(TJ)
|
|
|
取付タイプ
|
|
|
|
サプライヤーデバイスパッケージ
|
8-WDFN (3.3x3.3)
|
|
|
パッケージ・ケース
|
特徴
• 設置面積が小さく（3.3 x 3.3 mm）、コンパクトな設計を実現
• 低いRDS(on)で伝導損失を最小限に抑える
• ドライバ損失を最小限に抑える低静電容量
• NVTFS6H850NWF − ウェッタブルフランク製品
• AEC-Q101 認定および PPAP 対応
• これらのデバイスは鉛フリーであり、RoHS に準拠しています。
